人物简介

李爱珍（1936— ），材料学家，美国国家科学院外籍院士。1956 年 5 月加入中国共产党。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师。我国半导体材料领域的学科带头人之一。

入党志愿书

我志愿加入中国共产党，所以我向党组织提出入党申请。通过中国革命史、政治经济学的学习以及现实生活的教育，尤其是参加阶级斗争相当尖锐的土改工作，党对我教育更大。这些学习与教育使我了解到中国共产党是中国工人阶级运动和马列主义相结合的产物，是工人阶级先进的有组织的部队，是中国工人阶级组织的最高形式。它是以马列主义的理论与中国革命实践相结合的毛泽东思想作为党的指导思 想。它是代表最新的生产力，是代表无产阶级的最高利益。从它成立的那一天起，它就为无产阶级的利益进行了不懈的斗争。在新民主主义革命中，中国共产党是最坚决最彻底最能为中国民族独立解放事业而奋斗、最能与压迫中国民族的帝国主义作斗争的党。而在新民主主义革命胜利后党又领导全国人民进行经济恢复并制定总路线总任务，领导人民建设幸福的社会主义、共产主义的国家。这些使我深刻地体会到党的伟大、光荣、正确。我相信共产主义在全世界在中国必胜，我愿为人类最壮丽的事业——消灭私有制、消灭阶级剥削而贡献一份力量！但个人力量是渺小的，只有依靠工人阶级依靠共产党才能完成这个伟大的历史使命，只有参加共产党才能更进一步地发挥个人力量。因此，我愿背叛原来的阶级立场，建立共产主义人生观，承认党章党纲，服从党的决议，参加党的一个组织并在其中工作，缴纳党费，以共产党员标准的八项条件要求自己，在党组织及同志的教育帮助下，对个人主义计较、个人患得患失思想进行自我改造，使自己思想进一步党化，做一个名副其实的共产党员。

延伸阅读

李爱珍长期从事半导体材料与器件的研究，特别是分子束外延Ⅲ - Ⅴ族化合物半导体人工量子结构材料生长、特性及其在高速电子器件和光电子器件中应用的研究。她在新型微波 / 毫米波电子材料及其在器件中应用的研究成果，加速和推动了我国高速微波器件从 MBE GaAs 基微波频段向 InP 基含磷毫米波、亚毫米波频段的发展。她在新一代中红外半导体激光器材料与器件方面的研究成果，加速了我国半导体光源材料和技术从近红外波段向中红外波段的推进，被大家称为科技战线上的“女强人”。在振兴中华、开拓半导体材料及分子束外延高级技术奋力拼搏中，取得了一批重大科技成果。1980年8月至1982年，李爱珍被选派到美国进修。学成回国后，在冶金所没有分子束外延设备、国内设备没完全过关的情况下，她怀着发展我国分子束外延材料和技术的强烈事业心，1983 年至 1985 年再次离家，带领小组成员奔赴沈阳与中国科学院兄弟单位一起，为发展我国分子束外延做出重大贡献，使我国的分子束外延水平达到了国际上 80 年代初期水平。1989 年和 1994 年她分别被国务院侨务办公室、中华全国归国华侨联合会评为侨眷全国优秀知识分子和先进个人，连续四次荣获上海市三八红旗手称号。她还被英国剑桥国际传记中心和美国传记研究院收入知识分子国际名人录，是一位造诣高、有突出贡献和一定国际知名度的科学家。

李爱珍明确自己作为一个共产党员的光荣任务与责任，严格地要求自己，对社会主义事业抱有坚强信心。她从事半导体材料研究60多年，1982年回国后创建了上海冶金研究所分子束外延半导体微结构材料和器件实验室，1993年参与创建中国科学院信息功能材料国家重点实验室。1958—1980 年，从事单晶、微米尺度Ⅲ - Ⅴ族异质结构材料科学与工程及其应用研究。80 年代起，从事原子层尺度分子束外延生长与界面控制，Ⅲ - Ⅴ族化合物半导体量子结构材料、特性及其在高速电子器件和探测器中应用研究。90 年代起，主要从事中红外带内子带跃迁量子级联激光器和带间跃迁多量子阱激光器材料、器件及相关物理研究。李爱珍获授权国家发明专利 17 件，国家科学技术进步奖、国家技术发明奖 5 项，科学技术部金牛奖 1 项。